Elektron yürüklüyü onların daxil olduqları elektrik sahəsi ilə dreyf sürət arasındakı mütənasiblik əmsalıdır. Yarımkeçiricilərin xassələrinin öyrənilməsində elektron yürüklüyü mühüm rol oynayır. Keçiricilik əmsalı daşıyıcının (elektron vəya deşiklər) yürüklüyünün onların konsentrasiyasına hasili ilə düz mütənasibdir. Beləliklə, daha yaxşı keçirici materiallar üçün onların yürüklüyünü araşdırmaq lazım gəlir. Yürüklüyün qiyməti elektrona təsir edən effektlərdən birbaşa asılıdır. Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının (AMEA) H. M. Abdullayev adına Fizika İnistitunun əməkdaşları M. Babayev və onun digər yoldaşları, Azerbaijan Journal of Physics (AJP) jurnalında dərc etdikləri "Modifikasiya olunmuş Pöşl-Teller potensiallı yarımkeçirici kvant çuxurunda elektronların kimyəvi potensialı və yürüklüyü " adlı məqalədə adından da göründüyü kimi xüsusi hal üçün yürüklüyün qiymətini hesablamışlar. Aldıqları nəticəyə əsasən, səpici potensialın ekranlaşması nəzərə alındıqda bu qiymət təqribən 4.5 dəfə artır.
"Yarımkeçirici kvant çuxurları, elektronların hərəkəti bir istiqamətdə məhdudlaşmış, qalan iki istiqamətdə isə qeyri-məhdud olan kvant təbəqələridir" - M. Babayev və digərləri. Bu kvant təbəqələrinin formaları dəqiq bilinmir. Ən çox istifadə edilən modellər isə düzbucaqlı və parabolik potensiallardır. Düzbucaqlı model dar kvant çuxuruna, parabolik isə nisbətən geniş kvant çuxuruna uyğun gəlir. Pöşl-Teller çuxuru isə bu iki formanın arasındadır və parametrlər düzgün təyin olunduqda hər iki halı ala bilər. Bu elmi işdə, müəlliflər modifikasiya olunmuş Pöşl-Teller potensiallı kvant çuxuru istifadə ediblər. Elektronun kimyəvi potensialını və hal sıxlığını ifadə etmək üçün ilk öncə verilən çuxurda elektronların dispersiya əlaqəsi hesablanıb. Növbəti addımda ekranlaşma nəzərə alınaraq elektronların yürüklüyünün ekranlaşmanın relaksasiya müddətindən asılı funksiyası əldə edilib. Son alınmış ifadə GaAs/AlxGa1-xAs kvant çuxuru üçün hesablanıb. Ədəbiyyatda bilinən qiymətləri və fiziki sabitləri yerinə qoyaraq uyğun Pöşl-Teller çuxurunun parametrinin ədədi qiyməti tapılıb. Son alınmış ifadə göstərir ki, temperaturun T = 1 - 20 K arası qiymətlərində yürüklüyə ən çox ionlardan səpilmə təsir edir. Aşağıdakı şəkildə, elektronların səth sıxlığı 𝑛 = 1.78 ∙ 1015 m-2 götürülərək, elektronların yürüklüyünün ionların səth sıxlığından asılılıq qrafiki verilmişdir. Müqayisə üçün, ekranlaşma nəzərə alınmadan asılılıq əyrisi də çəkilmişdir. Təqribən əyrilər arasındakı 4.5 qat fərq açıq şəkildə görünür.
 |
| Kredit: AJP jurnalı |
0 Comments